| 发明名称 | 半导体屏蔽结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体屏蔽结构，其包括：一半导体基板；至少一主动区域，其设置于该半导体基板的一侧；一保护层，其中该保护层以半导体制程方法成形于该主动区域外侧；一屏蔽层，其中该屏蔽层以半导体制程方法成形于该保护层外侧；及一包覆层，其结合于该屏蔽层外侧；其中该保护层较该包覆层为硬，故可利用该硬度较高的保护层保护其中的区域，以减少后续高温制程中热量对元件的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101373741A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200710141743.0 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 海华科技股份有限公司 | 发明人 | 黄忠谔;简煌展 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L23/552(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种半导体屏蔽结构，其特征在于，包含：一半导体基板；至少一主动区域，其设置于该半导体基板的一侧；一保护层，其中该保护层以半导体制程方法成形于该主动区域外侧；一屏蔽层，其中该屏蔽层以半导体制程方法成形于该保护层外侧；及一包覆层，其结合于该屏蔽层外侧；其中该保护层较该包覆层为硬。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县新店市 | ||