| 发明名称 | 半导体器件上导电金属层的制作 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件上导电金属层的制作。更具体地，本发明公开了一种用于制作形成在衬底上的发光器件的方法，所述发光器件包括多个外延层，所述方法包括：形成处于所述多个外延层上的远离所述衬底的第一欧姆接触层；去除所述衬底，以暴露所述多个外延层的后表面；以及清洁和刻蚀所述多个外延层的所述暴露的后表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101373807A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200810130747.3 | 申请日期 | 2003.09.19 |
| 申请人 | 霆激技术有限公司 | 发明人 | 康学军;吴大可;爱德华·罗伯特·佩里 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01S5/024(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 肖善强 |
| 主权项 | 1.一种用于制作形成在衬底上的发光器件的方法，所述发光器件包括多个外延层，所述方法包括：形成处于所述多个外延层上的远离所述衬底的第一欧姆接触层；去除所述衬底，以暴露所述多个外延层的后表面；以及清洁和刻蚀所述多个外延层的所述暴露的后表面。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||