| 发明名称 | 内存元件及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 一种内存元件，包括基底、多个导体层、复合介电层与多个栅极。其中，多个导体层是设置于基底上，上述这些导体层是作为局部位线。复合介电层是设置于基底上，覆盖住导体层，复合介电层中包括了一层电荷陷入层。栅极设置于复合介电层上，横跨导体层。其中，导体层可以作为局部位线，以降低电阻值，增进内存元件的效能。 | ||
| 申请公布号 | CN100464423C | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200610090299.X | 申请日期 | 2006.07.13 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘承杰;熊黛良 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛平 |
| 主权项 | 1.一种内存元件，其特征在于，包括：基底；多个导体层，设置于该基底上，上述这些导体层是作为局部位线；复合介电层，设置于该基底上，覆盖住上述这些导体层，该复合介电层中包括电荷陷入层；以及多个栅极，设置于该复合介电层上，横跨上述这些导体层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||