| 发明名称 | 发光半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制作发光半导体元件的方法，这种元件的半导体本体由一个若干不同的Ⅲ-Ⅴ族-氮化物-半导体层(1)的层叠构成并具有第一个主面(3)和第二个主面(4)，其中，产生的辐射的至少一部分通过该第一主面输出，且该第二主面具有一个反射器，其特征为，这些Ⅲ-Ⅴ族-氮化物-各层被设置在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体和一层夹层，其中，该衬底本体的热膨胀系数相似于或最好大于Ⅲ-Ⅴ族-氮化物-各层的热膨胀系数，且Ⅲ-Ⅴ族-氮化物-各层淀积在该夹层上。 | ||
| 申请公布号 | CN100464438C | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200610136532.3 | 申请日期 | 2001.03.16 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | S·巴德尔;B·哈恩;V·海勒;H·－J·卢高尔;M·蒙德布罗德－范格罗;D·埃塞尔特 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 蔡民军;胡强 |
| 主权项 | 1.用于制作发光半导体元件的方法，这种元件的半导体本体由一个若干不同的III-V族-氮化物-半导体层(1)的层叠构成并具有第一个主面(3)和第二个主面(4)，其中，产生的辐射的至少一部分通过该第一主面输出，且该第二主面具有一个反射器，其特征为，将这些III-V族-氮化物-半导体层设置在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体和一层夹层，其中，该衬底本体的热膨胀系数相似于或大于III-V族-氮化物-半导体层的热膨胀系数，且III-V族-氮化物-半导体层淀积在该夹层上，该夹层通过晶片压焊方法压焊到该衬底本体上。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||