Dünnfilmwiderstand mit Schichtstruktur und Verfahren zur Herstllunng eines Dünnfilmwiderstands mit Schichtstruktur
摘要
<p>A thin-film resistor with a layer structure with a Ti layer and a TiN layer is described, wherein a layer thickness of the Ti layer and a layer thickness of the TiN layer are selected such that a resulting temperature coefficient of resistance (TCR) is smaller than 1000 ppm/° C.</p>
申请公布号
DE112005003768(A5)
申请公布日期
2009.02.19
申请号
DE20051103768T
申请日期
2005.12.09
申请人
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;UNIVERSITAET DUISBURG
