发明名称 |
SOI衬底及其制造方法 |
摘要 |
SOI衬底(1)具有支撑衬底(10)、形成在支撑衬底(10)上的绝缘层(20)以及形成在绝缘层(20)上的硅层(30)。在SOI衬底(1)的器件形成区(A1)中设置穿通电极(40)。穿通电极(40)从硅层(30)到达绝缘层(20)。具体地,穿通电极(40)从硅层(30)的表面开始贯穿硅层(30)延伸至绝缘层(20)的内部。这里,在绝缘层(20)侧的穿通电极(40)的端面(40a)停止在绝缘层(20)内。 |
申请公布号 |
CN100463190C |
申请公布日期 |
2009.02.18 |
申请号 |
CN200510082338.7 |
申请日期 |
2005.06.30 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
川野连也;田代勉;栗田洋一郎 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
穆德骏;陆锦华 |
主权项 |
1.一种SOI衬底,具有绝缘层和设置在所述绝缘层上的硅层,包括:从所述硅层到达所述绝缘层的穿通电极,其中所述绝缘层包括蚀刻停止膜,以及其中在所述穿通电极穿透所述蚀刻停止膜时,在所述绝缘层侧的所述穿通电极的端面停止在所述绝缘层内。 |
地址 |
日本神奈川 |