| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法。其解决现有的功率MOSFET通过宽的环状区和屏蔽金属来防止周边的反型时的周边区域的面积变大使扩大元件区域的面积是有限的。本发明半导体装置设置MIS(MOS)结构的防止反型区域。其宽度例如只要有多晶硅宽度便可，在沟槽深度方向获取氧化膜面积。由此，即使不扩大周边区域的面积也可减少泄漏电流，由于元件区域扩大，故可降低MOSFET的接通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN100463219C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200410074901.1 | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 恩田全人;久保博稔;宫原正二;石田裕康 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，其包括：元件区域，其设置在把规定的杂质进行扩散的半导体基板上；周边区域，其在所述元件区域的外周；沟槽，其为一个，设置在所述周边区域的所述半导体基板上，包围所述元件区域的外周；绝缘膜，其沿所述沟槽内壁设置；导电材料，其埋设在所述沟槽内；屏蔽金属，其设置在所述导电材料上，与所述导电材料和所述半导体基板连接；源极，其与所述元件区域连接，另外，所述导电材料与所述基板同电位。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||