发明名称 混合集成电路装置及其制造方法
摘要 一种混合集成电路装置及其制造方法,以往,在由传递模模装对衬底(31)总括进行模装时,衬底(31)下部的树脂封装体(41)的厚度难于以一定的厚度均匀形成。在本发明的混合集成电路装置的制造方法中,将形成于衬底(31)背面的曲面(31d)置于下模(44)侧,将形成于衬底(31)表面的毛边(31c)置于上模(45)侧,进行传递模模装。这样利用曲面(31d)沿箭头方向(49)注入热硬性树脂,自衬底(31)下部充填热硬性树脂。并且,毛边(31c)的破碎部分不会混杂在衬底(31)下部的热硬性树脂内。其结果在衬底(31)下部可确保所需最低限度的树脂厚度,可实现高耐压、散热性好、且产品品质良好的混合集成电路装置。
申请公布号 CN100463169C 申请公布日期 2009.02.18
申请号 CN02125142.8 申请日期 2002.06.28
申请人 三洋电机株式会社 发明人 小池保广;西塔秀史;大川克实;饭村纯一
分类号 H01L25/16(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/98(2006.01);H01L27/00(2006.01) 主分类号 H01L25/16(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 杨梧;马高平
主权项 1.一种混合集成电路装置,包括:至少设于混合集成电路衬底表面侧的导电图形;安装于所述导电图形上的半导体元件及无源元件;将所述半导体元件和所述导电图形电连接的金属细线;连接在所述导电图形上,作为输出或输入并向外部延伸的导线;由通过传递模模装一体覆盖所述衬底的热硬性树脂构成的树脂封装体,其特征在于,将所述衬底的冲切面配置在所述衬底的背面侧。
地址 日本大阪府