| 发明名称 | 单次可编程存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单次可编程存储器及其制造方法。单次可编程存储器包含了设置于基底上的存储单元，基底中具有阶梯状的开口，开口具有上层的阶部与下层的凹陷部。存储单元包含有浮置栅极、选择栅极、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。其中，浮置栅极设置于凹陷部侧壁，选择栅极设置于阶部侧壁，第一掺杂区设置于凹陷部底部的基底中，第二掺杂区设置于阶部底部的基底中，第三掺杂区则设置于阶部顶端的基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN101369580A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200710141154.2 | 申请日期 | 2007.08.13 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张格荥;张骕远 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种单次可编程存储器，包括：第一存储单元，设置于基底上，该基底中具有阶梯状的开口，该开口包括上层的阶部与下层的凹陷部，该第一存储单元包括：浮置栅极，设置于该凹陷部侧壁；选择栅极，设置于该阶部侧壁；第一掺杂区，设置于该凹陷部底部的该基底中；第二掺杂区，设置于该阶部底部的该基底中；以及第三掺杂区，设置于该阶部顶端的该基底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||