| 发明名称 | 用于半导体元件的电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN100463186C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200510118089.2 | 申请日期 | 2005.10.25 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 吴平源;金愚镇;吴勋静;尹孝根;尹孝燮;催佰一 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体元件的电容器，包括：在半导体衬底的预定下结构上由多晶硅形成的下电极；形成在所述下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在所述氮氧化铝膜上，且具有高于所述氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在所述氮氧化钇膜上的上电极，其中所述氮氧化铝膜防止所述氮氧化钇膜与所述下电极直接接触时引起的在所述下电极上形成的SiO2界面膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||