用于等离子处理的装置和方法

摘要

一种等离子处理系统，包括处理室、设置在处理室内的基片架和设置成向处理室供给第一气体和第二气体的气体注入系统。该等离子处理系统还包括控制器，该控制器控制气体注入系统向处理室持续地流动第一气体流，并在第一时间向处理室脉冲第二气体流。所述控制器在第二时间向基片架脉冲RF功率。一种操作等离子处理系统的方法，它包括：调节处理室中的背景压力，其中背景压力是通过利用气体注入系统流动第一气体流建立的；在处理室中点燃处理等离子。该方法还包括利用气体注入系统在第一时间脉冲第二气体流，和在第二时间向基片架脉冲RF功率。

主权项

1.一种等离子处理系统，包括：处理室；设置在所述处理室内的基片架；气体注入系统，其设置成向所述处理室供给第一气体和第二气体；以及控制器，它设置成控制所述气体注入系统向所述处理室持续地流动第一气体流，并在第一时间向所述处理室脉冲第二气体流，所述控制器设置成在第二时间向所述基片架脉冲RF功率。