用在栓塞表面区域的表面结构

摘要

一半导体组件中的一个包括有一栓塞表面的表面结构，可通过移除材料以生成具有至少一栓塞表面区域(典型地为钨或铜栓塞区域)其包括有一凹陷区域的一第一平面化表面而改善。一材料沉积于此第一平面化表面之上以及此凹陷区域的顶部内，以生成一材料层。此材料层接着被移除以生成一第二平坦化表面，而此材料则仍留在此凹陷区域的顶部内。为了形成一半导体相转换存储元件，一相转换元素形成于第二平面化表面的至少一个栓塞区域(做为一第一电极)以及一第二电极之间。

主权项

1.一种用以改进一半导体组件的一表面的表面结构的方法，该表面包括栓塞区域，该方法包括：从该半导体组件移除一第一材料以生成具有栓塞区域的一第一平面化表面，至少一个该栓塞区域包括一凹陷部分，该凹陷部分于该第一平面化表面包括一顶部部分；沉积一材料于平面化表面之上，以生成一材料层；该沉积步骤还包括沉积该材料于该凹陷部分的该顶部部分内；以及移除该材料层以创造一第二平面化表面，该至少一个栓塞区域的该凹陷部分的该顶部部分内仍含有该材料，其中，从该半导体组件移除一第一材料的该步骤以一钨化学机械研磨停止层所定义的该第一平面化表面所进行，同时一钨区域做为该栓塞区域。