发明名称 |
TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法,阵列基板结构包括玻璃基板和依次形成在其上的栅信号线和栅电极,栅电极绝缘层,非晶硅薄膜和欧姆接触层组成的有源层,信号数据层,钝化层以及像素电极层,信号数据层包括信号线、源电极、漏电极和信号公共金属层,信号公共金属层上设置有用于连接信号公共金属层和栅信号线的金属层过孔和钝化层过孔。制造方法包括:在玻璃基板上形成栅信号线和栅电极;在所述栅电极上形成岛状有源层;之后依次形成钝化层和像素电极层,通过形成过孔使所述信号公共金属层形成像素存储电容的一个极板。本发明提高了像素存储电容,提高了显示质量,改善了画面品质。 |
申请公布号 |
CN101369078A |
申请公布日期 |
2009.02.18 |
申请号 |
CN200710120436.4 |
申请日期 |
2007.08.17 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
武延兵;赵继刚 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
1.一种TFT-LCD阵列基板结构,其特征在于,包括玻璃基板和依次形成在所述玻璃基板上的栅信号线和栅电极,栅电极绝缘层,非晶硅薄膜和欧姆接触层组成的有源层,信号数据层,钝化层,以及像素电极层,其特征在于,所述信号数据层包括信号线、源电极、漏电极和信号公共金属层,所述信号公共金属层和钝化层上分别设置有用于连接所述信号公共金属层和栅信号线的金属层过孔和钝化层过孔。 |
地址 |
100176北京市经济技术开发区西环中路8号 |