薄膜晶体管及其电子器件和制造方法

摘要

提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

主权项

1.一种薄膜半导体器件，包括：一柔性基底；一形成在该柔性基底上的半导体芯片，该半导体芯片包括源极、漏极和沟道；一绝缘区，形成在该半导体芯片上；一栅极电极，形成在该绝缘区上；一第二绝缘区，形成在该栅极电极上；一源极电极，形成在该第二绝缘区上且与该源极连接；一漏极电极，形成在该第二绝缘区上且与该漏极连接；一保护盖层，形成在该第二绝缘区以及该源极电极和该漏极电极上，且形成在该半导体芯片与该柔性基底之间，其中该保护盖层由紫外固化树脂、X射线固化材料、电子束固化材料和离子束固化材料中的任意一种构成。