相位改变记忆体装置及其制造方法

摘要

一种制造一相变记忆体装置之方法包括：在一第一层中形成一开口；在该开口中且在该第一层上形成一相变材料；将该相变材料加热至足以使该开口中之相变材料回流的第一温度，其中该第一温度小于该相变材料之熔点；及，在将该相变材料加热至第一温度之后，图案化该相变材料以在该开口中界定一相变元件。