发明名称 溅镀标靶与其制造方法
摘要 本发明系提供一种溅镀标靶,溅镀标靶1系具有堆积于基体2上之金属粒子4之标靶层3。标靶层3的厚度方向的剖面之金属粒子4之最大径为X,最小径为Y,最大径X对最小径Y之比(X/Y)为金属粒子4的扁平率时,于标靶层3的厚度方向的剖面,扁平率为1.5以上的金属粒子,系以个数比例存在90%以上。标靶层3可以例如冷喷雾法形成。
申请公布号 TW200907087 申请公布日期 2009.02.16
申请号 TW097100412 申请日期 2008.01.04
申请人 东芝股份有限公司;东芝高新材料公司 发明人 佐藤道雄;高阪泰郎;中村隆;中岛信昭;本敏也;川岛史行
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本