| 摘要 |
本发明系一种氮化物半导体发光元件及氮化物系半导体之制造方法，其中，提供提升层积于AlN缓冲层上之氮化物半导体之结晶品质等之品质，而可使光输出向上之氮化物半导体发光元件及氮化物系半导体之制造方法。于蓝宝石基板上，形成有AlN缓冲层2，并于其上方，依序层积有n型AlGaN层3，InGaN/GaN活性层4，p型GaN层5之氮化物半导体，另外，于n型AlGaN层3表面，形成有n电极7，于p型GaN层5之上方，形成有p电极6，而n型AlGaN层3系具有做为为了封闭光或载体之包覆层的作用，另外，AlN缓冲层2系针对在成长温度900℃以上，交互进行Al原料之供给与N原料之供给所制作。 |
