| 摘要 |
本发明提供一种不会因回蚀处理而降低自我对准矽化物块膜之能力，并可均匀地施行电晶体之源极 汲极注入之固态摄像元件之制造方法。以形成于闸极电极11、21之侧面之侧墙32、33为遮罩而形成电晶体之源极 汲极区域14、24。而且，覆盖闸极电极11、21、侧墙32、33、源极 汲极区域14、24及受光区域而形成氢供应膜33与自我对准矽化物块膜34。除去矽化物化区域之自我对准矽化物块膜34后，形成金属膜38而施行热处理，并在矽化物化区域之闸极电极21及源极 汲极区域24之上部形成金属矽化物膜25、26，以制造固态摄像元件。 |
