发明名称 | 发光二极体元件的制造方法 | ||
摘要 | 本发明是一种发光二极体元件的制造方法,系结合磊晶方式及蚀刻方式,使该发光二极体磊晶层从底部开始蚀刻,形成侧面外悬凸出的结构形状,使发光二极体磊晶层结构成为非矩形的斜面,藉此改善发光二极体元件界面全反射的现象,提高发光二极体的光取出率。且本发明因为制成简单,可降低生产成本,适合产业大量生产。 | ||
申请公布号 | TW200908378 | 申请公布日期 | 2009.02.16 |
申请号 | TW096129483 | 申请日期 | 2007.08.10 |
申请人 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 许文杰;刘育全;富振华;李适宏;王泰钧 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 黄志扬 | |
主权项 | |||
地址 | 南投县南投市自强三路18号 |