发明名称 发光二极体元件的制造方法
摘要 本发明是一种发光二极体元件的制造方法,系结合磊晶方式及蚀刻方式,使该发光二极体磊晶层从底部开始蚀刻,形成侧面外悬凸出的结构形状,使发光二极体磊晶层结构成为非矩形的斜面,藉此改善发光二极体元件界面全反射的现象,提高发光二极体的光取出率。且本发明因为制成简单,可降低生产成本,适合产业大量生产。
申请公布号 TW200908378 申请公布日期 2009.02.16
申请号 TW096129483 申请日期 2007.08.10
申请人 泰谷光电科技股份有限公司 发明人 许文杰;刘育全;富振华;李适宏;王泰钧
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 黄志扬
主权项
地址 南投县南投市自强三路18号