制造半导体装置之方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置的方法，即使使用耐热温度低的基底也可以高成品率制造具有结晶半导体层的半导体装置。在半导体基底的一部分中形成槽，以形成具有凸部的半导体基底，而且形成接合层以覆盖该凸部。另外，在形成接合层之前，对成为凸部的半导体基底部份照射加速的离子，以形成脆弱层。将接合层和支撑基底接合之后，进行分离半导体基底的热处理，以在支撑基底上提供半导体层。选择性地蚀刻该半导体层，形成半导体元件，以制造半导体装置。