研磨液

摘要

本发明提供一种研磨液，其特征为含有四级铵阳离子、腐蚀抑制剂、非离子性界面活性剂、及胶态二氧化矽，pH为2.5至5.0，且系用于研磨半导体积体电路之阻障层。该研磨液在适用于具有经积层TEOS绝缘膜与Low-k膜的绝缘膜之基板时，则可获得对于TEOS绝缘膜之高研磨速度、且对于如Low-k膜的低强度绝缘膜之研磨速度则可有效地加以抑制，同时能达成起因于固体研磨粒之凝集等的刮伤之抑制。