半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之半导体装置之制造方法，包括：形成SiC膜之步骤；于SiC膜之表面形成沟槽(20)之步骤；于向SiC膜之表面供给Si之状态下，对SiC膜进行热处理之热处理步骤；及将藉由热处理步骤于SiC膜之表面所得之复数之巨阶部(1)作为通道之步骤。若将沟槽(20)之周期设为L、将沟槽(20)之高度设为h，则周期L与高度h之间成立以下关系，L=h(cotα+cotβ)(其中，α、β系满足0.5≦α、β≦45的变数)。由此，能够提高半导体装置之特性。