减少气相成核缺陷的高密度电浆沟填方法

摘要

一种减少气相成核缺陷的高密度电浆沟填方法，包括下列步骤。首先，提供基底于反应室中，且此基底中具有沟渠。然后，进行第一沈积步骤，于沟渠中部分地填入介电材料。接着，进行蚀刻步骤，部分地移除沟渠中的介电材料。之后，进行第二沈积步骤，于沟渠中部分地填入介电材料，其中在第二沈积步骤中所使用的反应气体包括载气、含氧气体、含矽气体与含氢气体，且在载入载气与含氧气体至反应室中并开启射频电源一段时间后，再载入含矽气体与含氢气体至反应室中。