半导体装置

摘要

在半导体装置(101)中，SOI构造之第1电晶体(TR1A)具有源极区域、汲极区域、位于源极区域和汲极区域间之本体区域、和位于本体区域上方之闸电极。SOI构造之第1电容器(MCA)具有电性连接到第1电晶体(TR1A)之闸电极的第1端子和第2端子。半导体装置(101)依照储存在用以电性连接第1电晶体(TR1A)之闸电极和第1电容器MCA之第1端子的第1节点(FGa)之载体，非挥发性地记忆资料。