Phasenänderungsspeicher mit Schottky-Diode und Verfahren zum Herstellen desselben

摘要

Ein Phasenänderungsspeicher weist Wortleitungen (WL') auf, die sich entlang einer Richtung auf einem Halbleitersubstrat (100) erstrecken. Halbleiterstrukturen (135a) mit einer niedrigen Konzentration sind auf den Wortleitungen (WL') angeordnet. Knotenelektroden (NE) sind auf den Halbleiterstrukturen (135a) mit einer niedrigen Konzentration angeordnet. Schottky-Dioden (SD) sind zwischen den Halbleiterstrukturen (135a) mit einer niedrigen Konzentration und den Knotenelektroden (NE) angeordnet. Phasenänderungswiderstände (VR) sind auf den Knotenelektroden (NE) angeordnet.