发明名称 用于成像探测器的半导体结构
摘要 本发明披露了一种包括多个光电探测器子阵列的光电探测器阵列,每个子阵列的光电探测器在衬底上形成,且每个光电探测器的有源区在所述衬底的表面上形成,还为每个光电探测器形成穿过所述衬底从其上表面到其下表面的导电通孔,该导电通孔用于将每个光电探测器的有源区连接到衬底的下表面,其中多个所述光电探测器子阵列彼此靠近放置成矩阵,以形成光电探测器阵列。也披露了一种成像系统,包括:包括这样的光电探测器阵列的辐射探测器、朝向辐射探测器的辐射源、以及用于控制辐射探测器和辐射源的装置。还披露了一种用于制造这样的阵列的方法。
申请公布号 CN100461464C 申请公布日期 2009.02.11
申请号 CN03817813.3 申请日期 2003.07.18
申请人 地太科特技术有限公司 发明人 伊罗·希耶塔宁
分类号 H01L31/101(2006.01);H01L31/0352(2006.01);H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L31/101(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚
主权项 1.一种包括多个光电探测器的衬底,所述多个光电探测器的每个都具有位于所述衬底的第一表面上的有源区和位于所述衬底的第二表面侧上的另一有源区,其中,所述多个光电探测器的每个都设置有从所述衬底的第一表面到所述衬底的第二表面并与所述衬底电绝缘的邻近导电通孔,所述导电通孔用于将所述有源区连接到所述衬底的第二表面,所述第二表面提供用于所述多个光电探测器的所述有源区和另一有源区的电连接。
地址 芬兰米克罗波利斯