半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法。在场绝缘膜的开口中在半导体衬底的表面上形成栅极绝缘膜，且其后在绝缘膜上形成由掺杂的多晶硅等制成的栅电极和电容器下电极。通过使用场绝缘膜和栅电极作为掩模的离子注入工艺来形成袋状区，且其后通过CVD等形成覆盖电极的绝缘层。由通过所述绝缘层的离子注入工艺来形成延伸区。根据绝缘层的厚度可以以高精确度决定袋状区和相关的延伸区之间的偏移距离。在形成侧分隔体之后，形成高浓度源极/漏极区。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法的步骤包括：a.在半导体衬底中形成隔离区，所述隔离区界定第一导电型的有源区；b.在所述有源区的表面上形成栅极绝缘膜；c.在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；d.使用所述栅电极作为掩模在所述有源区中注入所述第一导电型的杂质离子以形成袋状区；e.在所述步骤d之后，在所述半导体衬底上沉积第一绝缘膜，所述第一绝缘膜覆盖所述栅电极的侧表面和上表面；f.通过使用所述栅电极和所述第一绝缘膜作为掩模在所述有源区中注入与所述第一导电型相反的第二导电型的杂质离子以形成延伸区；g.在所述第一绝缘膜的侧壁上形成侧分隔体；和h.通过使用所述栅电极、所述第一绝缘膜和所述侧分隔体作为掩模将所述第二导电型的杂质注入所述有源区以形成源极/漏极区。