用于半导体集成电路基板的隔离结构及其形成方法

摘要

用于半导体基板的隔离区包括介质填充槽和场氧化物区。与槽和场氧化物区的主要部分中的介质材料不同的介质材料的保护盖可用于防止该结构在后续工艺步骤中被侵蚀。隔离结构的顶面与基板的表面共平面。场掺杂区域可形成于场氧化物区下方。为了满足不同装置的要求，隔离结构可具有变化的宽度和深度。

主权项

1.一种在半导体基板内形成隔离结构的方法，包括：形成槽于所述半导体基板内；沉积第一介质材料于所述槽内；除去所述第一介质材料的一部分，使得所述第一介质材料的表面位于第一水平，所述第一水平低于所述基板的表面的第二水平，由此形成凹陷；沉积第二介质材料于所述凹陷内；以及除去所述第二介质材料的一部分，使得所述第二介质材料的表面与所述基板的表面基本上共平面，由此形成保护盖于所述槽内。