| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种“半导体器件”。包括：均设置在内部电路区域中的、内部元件的N型MOS晶体管和内部元件的P型MOS晶体管；以及设置在外部连接端子与内部电路区域之间的用于ESD保护的N型MOS晶体管，其中，用于ESD保护的N型MOS晶体管的栅电极由P型多晶硅形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101364596A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200810146169.2 | 申请日期 | 2008.08.06 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 鹰巢博昭 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 朱海煜;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：设置在内部电路区域中的内部元件的至少一个N型MOS晶体管；以及设置在外部连接端子与内部电路区域之间的用于ESD保护的N型MOS晶体管，用于ESD保护的所述N型MOS晶体管用于防止所述内部元件的N型MOS晶体管和其它内部元件因ESD引起的击穿，其中，用于ESD保护的所述N型MOS晶体管的阈值电压设置成高于所述内部元件的所述N型MOS晶体管的阈值电压。 | ||
| 地址 | 日本千叶县千叶市 | ||