提高与非门阵列闪存的存取装置与方法

摘要

本发明揭示一种提高与非门阵列闪存(NAND Flash)的存取装置与方法。此存取装置包含至少一个与非门阵列闪存、以及一镜像数据区。主控端将与非门阵列闪存的区块内的不满一个数据页的数据，暂存于镜像数据区中，当欲写入新数据至与非门阵列闪存时，其新数据的地址接续于前一笔数据的连续线性地址时，则将新数据接续写入镜像数据区内，当镜像数据区内写满一个数据页的数据后，再写回区块内的数据页中。本发明提供在写入与非门阵列闪存时，将未满一个数据页的数据暂存于镜像数据区中，以减少与非门阵列闪存内区块数据重复拷贝－备份和抹除，可延长与非门阵列闪存的寿命。

主权项

1.一种提高与非门阵列闪存的存取装置，该装置至少包含：至少一个与非门阵列闪存，每一该与非门阵列闪存切割为多个存取区块，每一该区块分配多个数据页，每一该数据页中再分配多个节区；以及一镜像数据区；其中，当一区块内的部分数据不满一数据页时，将不满该数据页的数据暂存于该镜像数据区中；当欲写入至少一个节区的新数据，其接续于前一笔数据的位置时，则将新的数据接续写入该镜像数据区内，当该镜像数据区内写满一个数据页的数据时，再写入该区块内的该数据页中。