太阳电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种太阳电池，其包括：基板(21)，在基板(21)上形成的导电膜(22)，形成于导电膜(22)上且具有包含Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素的p型半导体晶体的化合物半导体层(23)，形成于化合物半导体层(23)上且具有开口(29)的n型窗层(24)，在n型窗层(24)上以及在n型窗层(24)的开口之下的化合物半导体层(23)上形成的n型透明导电膜。其中，化合物半导体层(23)具有高电阻部(23B)，高电阻部(23B)在与导电膜(22)相反一侧的表面附近的部分区域形成，含有掺杂在p型半导体晶体中的n型杂质；且高电阻部(23B)配置在n型窗层(24)的开口(29)之下。

主权项

1、一种太阳电池，其包括：基板；导电膜，其形成于所述基板上；化合物半导体层，其形成于所述导电膜上，并具有包含Ib族元素、IIIa族元素及VIa族元素的p型半导体晶体；n型窗层，其形成于所述化合物半导体层上，且具有开口；以及n型透明导电膜，其形成于所述n型窗层之上、以及形成于所述n型窗层的所述开口之下的化合物半导体层上；所述太阳电池的特征在于：所述化合物半导体层具有高电阻部，该高电阻部在所述化合物半导体层的与所述导电膜相反一侧的距表面的深度为500nm以下的区域的表面附近的部分区域形成，且含有掺杂在所述p型半导体晶体中的n型杂质；所述高电阻部配置在所述n型窗层的所述开口之下。