| 发明名称 | 等离子体处理装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。 | ||
| 申请公布号 | CN100459059C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200380104292.3 | 申请日期 | 2003.11.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：可设定成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向地配置的上部电极；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；输出第一高频电力的第一高频电源；具有与所述上部电极在周围方向连续连接的第一筒形导电部件，将来自所述第一高频电源的所述第一高频电力供给所述上部电极的供电部，和配置于所述第一筒形导电部件的半径方向外侧，且与接地电位相连接的第二筒形导电部件，作为所述第二筒形导电部件的半径对所述第一筒形导电部件的半径的比的径比在1.5～1.7的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||