发明名称 光照射装置及方法、结晶装置及方法、设备和光调制元件
摘要 本发明公开了一种光照射装置及方法、结晶装置及方法、设备和光调制元件。光照射装置包括光调制元件(1),调制入射光束的相位以便获得具有最小光强的底部的V形光强分布,以及成像光学系统(3),以在照射目标表面上提供V形光强分布的方式,将所调制的光束从光调制元件施加到照射目标表面(4)上。光调制元件具有一复振幅透射率分布,使在成像光学系统的图像空间中,在V形光强分布的底部处,复振幅分布的相位值的二次导数基本上变为零。
申请公布号 CN101359101A 申请公布日期 2009.02.04
申请号 CN200810145201.5 申请日期 2005.02.17
申请人 株式会社液晶先端技术开发中心 发明人 谷口幸夫
分类号 G02B27/42(2006.01);C30B28/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);B23K26/00(2006.01) 主分类号 G02B27/42(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 覃鸣燕;王英
主权项 1.一种光调制元件,调制入射光束的相位以便在照射目标表面上提供V形光强分布,包括:具有彼此不同的固定相位值的至少三种相位区,而且所述相位区的占用面积比根据预定图型改变。
地址 日本神奈川县