| 发明名称 | 晶圆表面的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶圆表面的清洗方法，使用光刻胶减量消耗剂对晶圆表面进行清洗，然后从晶圆表面去除光刻胶减量消耗剂。本发明还提供了光刻胶减量剂作为晶圆表面的清洗试剂的新应用。利用本发明提供的清洗方法清洗之后可直接进行光刻胶的喷涂制程，避免在清洗制程和光刻胶喷涂制程中间引入其他污染。而且所用的RRC清洗剂价格低廉，节约了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN100459057C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200610026757.3 | 申请日期 | 2006.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 程高龙;林正忠;田静;汤振 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);G03F7/42(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种晶圆表面的清洗方法，其特征在于：使用丙二醇甲醚、乙酸丙二醇甲酯、OK73稀释剂、环己酮和γ-丁内酯中的一种或者两种混合物溶剂对晶圆表面光刻制程前在薄膜沉积过程中产生的有机污染以及在光刻区产生的氨气污染进行清洗，然后从晶圆表面去除所述溶剂。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||