多芯片直流－直流升压功率变换器的有效力封装结构

摘要

一种直流－直流升压变换器的多芯片半导体封装具有输出功率肖特基二极管和受功率调节控制器(PRC)控制的低压侧垂直MOSFET。该多芯片封装包括一个有肖特基二极管和垂直MOSFET并排于其上的单芯片基座。该功率调节控制器芯片通过绝缘芯片粘结材料装在该单芯片基座上。作为替换，该单芯片基座接地，垂直MOSFET是一顶部为漏极的垂直N沟道场效应晶体管，肖特基二极管芯片的衬底是其阳极，肖特基二极管和垂直MOSFET以堆叠的方式而位于单芯片基座的上部。功率调节控制器通过标准导电芯片粘结材料装于单芯片基座的上部。肖特基二极管芯片可以使用倒装结构，并以其阴极作为其衬底；或者，肖特基二极管芯片还可以以其阳极作为垫板不使用倒装芯片结构。本发明具有高效力的封装优点。

主权项

1.一种用于直流-直流升压转换器设备的高效力封装的多芯片半导体封装，其升压变换器将一个不稳定的直流输入电压转换为稳定的直流输出电压，其特征在于，所述的多芯片半导体封装包括：具有单芯片基座的一引线框架；安装在该单芯片基座上的一垂直MOSFET；其阳极和所述的垂直MOSFET的漏极连接。