发明名称 磁存储装置
摘要 本发明提供了一种磁存储装置,配备具有多个存储器单元阵列、跨过所述多个存储器单元阵列的多个主字线、对应于所述多个存储器单元阵列的每一个配置的多个存储器单元阵列选择线的至少一个存储器单元阵列组,该存储器单元阵列由多个存储器单元构成,该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结,所述多个字线分别连接于分别设置在所述多个主字线和所述多个存储器单元阵列选择线的交叉部上的第一组合逻辑门的输出,所述第一组合逻辑门的输入连接于处于交叉状态的所述多个主字线之一与所述多个存储器单元阵列选择线之一。
申请公布号 CN100458968C 申请公布日期 2009.02.04
申请号 CN200410064300.2 申请日期 2001.11.30
申请人 三菱电机株式会社 发明人 国清辰也;永久克己;前田茂伸
分类号 G11C11/16(2006.01);G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C11/16(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 梁永
主权项 1.一种磁存储装置,配备具有多个存储器单元阵列、跨过所述多个存储器单元阵列的多个主字线、对应于所述多个存储器单元阵列的每一个配置的多个存储器单元阵列选择线的至少一个存储器单元阵列组,该存储器单元阵列由多个存储器单元构成,该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结,所述多个字线分别连接于分别设置在所述多个主字线和所述多个存储器单元阵列选择线的交叉部上的第一组合逻辑门的输出,所述第一组合逻辑门的输入连接于处于交叉状态的所述多个主字线之一与所述多个存储器单元阵列选择线之一。
地址 日本东京都
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