| 发明名称 | 形成具有不同高度的升高的漏极与源极区域的晶体管的先进方法 | ||
| 摘要 | 在极微缩半导体装置中的外延生长半导体区域的高度可在不同装置区域中实行的两个或两个以上的外延生长步骤进行各别调整，其中，在特定装置区域，外延生长掩模选择性阻止半导体区域的形成。在其它实施例中，可对两个或两个以上的不同区域使用一般外延生长制程，并接着在选择的装置区域上进行选择性氧化制程，以精确减少先前在选择区域上外延生长的半导体区域高度。 | ||
| 申请公布号 | CN100459104C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200480032306.X | 申请日期 | 2004.09.17 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | R·范本通;S·卢宁;T·卡姆勒 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：形成暴露第一半导体区域(240a)的一部分并保持覆盖第二半导体区域(240b)的第一外延生长掩模(222)；在该第一半导体区域(240a)的该暴露部分外延生长第一升高的半导体区域(208a)；形成暴露该第二半导体区域(240b)的一部分的第二外延生长掩模(225)；以及在该第二半导体区域(240b)的该暴露部分外延生长第二升高的半导体区域(218b)；其中该外延生长的第一半导体区域与第二半导体区域具有不同的高度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||