光刻的曝光方法及曝光系统

摘要

本发明公开了一种光刻的曝光方法，包括步骤：利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；确定待曝光场在所述衬底上的位置；根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。本发明还公开了一种可以实现本发明的曝光方法的曝光系统，采用本发明的曝光方法或曝光系统，可以弥补杂散光对形成的图形的尺寸的影响，提高图形尺寸的准确性及一致性。

主权项

1、一种光刻的曝光方法，其特征在于，包括步骤：利用检测片检测杂散光在衬底上的分布情况；确定待曝光场在所述衬底上的位置；根据所述检测片检测得到的杂散光的分布情况及所述位置，计算所述待曝光场的杂散光平均值；根据所述待曝光场的杂散光平均值确定所述待曝光场的曝光参数；按照所述曝光参数对所述待曝光场进行曝光；移至所述衬底上的下一个待曝光场，重复上述确定待曝光场位置、计算杂散光平均值、确定曝光参数及曝光的步骤，直至所述衬底上的各曝光场均完成曝光。