像素结构及其薄膜晶体管

摘要

本发明公开一种像素结构及其薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接扫描线且位于绝缘层的一表面。半导体层、源极和漏极位于绝缘层另一表面。源极连接数据线而且连接半导体层。漏极的第一侧支连接半导体层且部分对齐重叠栅极而诱发寄生电容。漏极的第二侧支与第一侧支延伸于同方向且垂直越过扫描线上方。部分第二侧支对齐重叠扫描线而诱发第一补偿电容。补偿电极连接第二侧支且部分垂直位于扫描线上方而诱发第二补偿电容。补偿电极的线宽为第一侧支和第二侧支线宽的和，使得寄生电容、第一补偿电容和第二补偿电容的和维持恒定。本发明提供一种像素结构及其薄膜晶体管，可有效解决因两金属层位移偏差而导致的馈通电压不均匀的问题。

主权项

1.一种薄膜晶体管，至少包含：一栅极，电性连接一扫描线；一绝缘层，邻接于该栅极，且该栅极位于该绝缘层的一表面；一半导体层，位于该绝缘层的另一表面；一源极，位于该绝缘层的另一表面，且连接部分该半导体层，该源极电性连接一数据线；以及一漏极，位于该绝缘层的另一表面，包含：一第一侧支，连接部分该半导体层，部分该第一侧支对齐重叠该栅极而诱发一寄生电容；一第二侧支，与该第一侧支延伸于同一方向，且垂直越过该扫描线上方，其中部分该第二侧支对齐重叠该扫描线而诱发一第一补偿电容；以及一补偿电极，连接该第二侧支，部分该补偿电极垂直位于该扫描线上方而诱发一第二补偿电容，该补偿电极的线宽为该第一侧支的线宽和该第二侧支的线宽的和。