| 发明名称 | 金属连接器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属连接器件的形成方法，包括下列步骤：在带有绝缘介质层和屏蔽层的半导体衬底上形成金属层；将半导体衬底放置于空气中，使金属层表面氧化；在金属层上依次形成抗反射层和图形化光阻层；以图形化光阻层为掩膜，蚀刻抗反射层和金属层至露出屏蔽层；去除光阻层和抗反射层。经过上述步骤，半导体器件之间不会产生短路以及后续沉积的膜层不产生脱落。 | ||
| 申请公布号 | CN101359616A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200710044387.0 | 申请日期 | 2007.07.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杜学东;李鹤鸣;曾坤赐 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种金属连接器件的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：在带有绝缘介质层和屏蔽层的半导体衬底上形成金属层；将半导体衬底放置于空气中，使金属层表面氧化；在金属层上依次形成抗反射层和图形化光阻层；以图形化光阻层为掩膜，蚀刻抗反射层和金属层至露出屏蔽层；去除光阻层和抗反射层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||