| 发明名称 | 晶片加工方法 | ||
| 摘要 | 一种晶片加工方法，用于将具有功能元件的晶片沿分划线分成单独的芯片，这些功能元件处于通过按照网格图案在正面上形成的分划线所分割的区域内，该方法包括：变质层形成步骤，用于通过施加能够沿分划线从晶片背面穿过晶片的激光束，在距离该晶片正面相当于芯片最终厚度的位置的背面一侧上形成变质层；划分步骤，用于通过对内部已沿分划线形成变质层的晶片施加外力，将晶片沿分划线分成单独的芯片；以及背面研磨步骤，用于将已分成单独芯片的晶片的背面研磨到芯片的最终厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN100459054C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200510078996.9 | 申请日期 | 2005.06.22 |
| 申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 永井祐介;小林贤史;中村胜 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘兴鹏 |
| 主权项 | 1.一种晶片加工方法，用于将具有功能元件的晶片沿分划线并通过施加激光束形成用于减小分划线强度的变质层来分成单独的芯片，这些功能元件处于通过按照网格图案在正面上形成的分划线所分割的区域内，该方法包括：变质层形成步骤，用于通过施加能够沿分划线从晶片背面穿过晶片的激光束，在距离该晶片正面相当于芯片最终厚度的位置的背面一侧上形成变质层；划分步骤，用于通过对内部已沿分划线形成变质层的晶片施加外力，将晶片沿分划线分成单独的芯片；以及背面研磨步骤，用于对分成单独芯片的晶片的背面进行研磨，以去除变质层并使晶片形成到芯片的最终厚度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||