发明名称 |
确定半导体特征的方法和用于制造集成电路的方法 |
摘要 |
公开了用于确定半导体特征的方法和系统。在一具体实施例中,本发明提供了一种用于确定部分处理的集成电路的一个或多个特征的方法。该方法包括提供衬底材料的步骤。该方法进一步包括在衬底材料内形成至少一个开口的步骤。开口可通过开口特征来表征,开口特征包括与未知体积相关的深度和开口宽度。该方法包括提供填充材料的步骤。该方法还包括处理填充材料使该填充材料的第一部分进入开口中并占据与开口特征相关的整个未知体积而该填充材料的第二部分保持在未知体积外的步骤。此外,该方法包括采用一个或者多个工艺来处理该填充材料的第二部分以确定与未知体积相关的空间特征的步骤。 |
申请公布号 |
CN100459087C |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200610029292.7 |
申请日期 |
2006.07.21 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
徐立 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐谦;杨红梅 |
主权项 |
1.一种用于确定部分处理的集成电路的一个或者多个特征的方法,包括:提供衬底材料,所述衬底材料通过衬底厚度和衬底直径来表征;在衬底材料内形成至少一个开口,所述开口通过至少一个开口特征来表征,所述开口特征为所述衬底厚度一部分内的深度和开口宽度,所述厚度和宽度与未知体积相关;提供预定量的填充材料;处理所述填充材料,以使所述填充材料的第一部分进入开口中,并占据与所述开口特征相关的整个未知体积,而所述填充材料的第二部分保持在与所述开口特征相关的未知体积外;采用一个或者多个工艺来处理所述填充材料的第二部分,以确定与未知体积相关的空间特征。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |