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发明名称 Method of manufacturing a semiconductor device having a silicon carbide layer
摘要
申请公布号 EP0363944(B1) 申请公布日期 1996.08.28
申请号 EP19890118919 申请日期 1989.10.11
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 ESHITA, TAKASHI
分类号 H01L21/04;H01L21/316;H01L21/76;H01L21/82;(IPC1-7):H01L21/473 主分类号 H01L21/04
代理机构 代理人
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