垂直式非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种垂直式非挥发性记忆体的制造方法，是先于一个基底上依序形成第一半导体层、第一阻障物、第二半导体层、第二阻障物和第三半导体层，其中第一和第三半导体层具第一导电态，第二半导体层具第二导电态。之后，去除基底上部分的第三半导体层、第二阻障物、第二半导体层、第一阻障物与第一半导体层，以形成数条主动堆叠结构，再于基底上形成储存结构。接着，于基底上形成覆盖储存结构并填满主动堆叠结构之间的空间的导电层，再去除部分的导电层，以形成数条横跨主动堆叠结构之字元线。