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发明名称
于基材上形成钌基膜的方法
摘要
一种用于在半导体制程中于基材上形成膜之方法。提供反应腔室及腔室中之基材。提供包括溶解于至少两种不可燃氟化溶剂之混合物中的四氧化钌之钌基前驱体,且在基材上产生含钌膜。
申请公布号
TW200905725
申请公布日期
2009.02.01
申请号
TW097106011
申请日期
2008.02.21
申请人
液态空气乔治斯克劳帝方法研究开发股份有限公司
发明人
夏斌;爱莎特许 米莎
分类号
H01L21/02(2006.01);C23C16/06(2006.01)
主分类号
H01L21/02(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
法国
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