Verfahren zum Blockieren einer Voramorphisierung einer Gateelektrode eines Transistors

摘要

Es wird eine Technik vorgestellt, die für eine selektive Voramorphisierung von Source/Drain-Gebieten eines Transistors sorgt, während die Voramorphisierung einer Gateelektrode des Transistors verhindert wird. Anschauliche Ausführungsformen beinhalten die Herstellung eines Voramorphisierungsimplantationsblockiermaterials über der Gateelektrode. Ferner umfassen anschauliche Ausführungsformen das Hervorrufen einer Verformung in einem Kanalgebiet durch die Verwendung diverser Verspannungsquellen.