| 发明名称 | 基板处理装置 | ||
| 摘要 | 提供一种可适用于半曝光工艺，药液溶解回流工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、调整基板温度的温度调整处理单元(19)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN101350291A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200810087092.6 | 申请日期 | 2004.09.17 |
| 申请人 | NEC液晶技术株式会社 | 发明人 | 城户秀作 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种基板处理装置，在对基板实施处理的基板处理装置之中，其特征在于：配置有进行基板传送的基板传送机构、和用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元；所述气体气氛处理单元具有可在15℃～40℃的范围内调整基板温度的温度控制装置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||