淀积半导体材料的方法

摘要

本发明涉及有选择地淀积半导体材料的方法。将衬底放置在反应室内。该衬底包括第一表面和第二表面。在如下条件下将该第一表面和第二表面暴露于半导体材料前驱物：该前驱物的半导体材料的生长包括生长期之前的停滞期，且在第二表面上起始该生长期所需的时间比在第一表面上起始该生长期所需的时间长。将第一和第二表面暴露于上述前驱物的时间足以让生长期在第一表面上发生，但不足以让生长期在第二表面发生。

主权项

1.一种淀积半导体材料的方法，包括：提供衬底，该衬底包括第一材料和第二材料；在这样的条件下将所述第一和第二材料暴露于至少一种半导体材料前驱物：来自所述至少一种前驱物的半导体材料在所述第一和第二材料上的生长包括生长期之前的停滞期，且在所述第二材料上起始生长期所需的时间比在所述第一材料上起始生长期所需的时间长；所述暴露进行的时间长度足以让生长期在所述第一材料上发生，但却不足以让生长期在所述第二材料上基本发生；所述暴露在反应室中进行，包括将所述至少一种前驱物输入一个反应室的脉冲，其后是将所述至少一种前驱物完全从所述反应室中除去的清除过程；用包含两个或两个以上脉冲的工序来形成半导体材料的厚层；以及在所述两个或两个以上脉冲中的第一脉冲期间，相对于所述两个或两个以上脉冲中的第二脉冲，不同的半导体前驱物流入所述反应室。