| 发明名称 | 一种四元方钴矿结构的热电材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种四元方钴矿结构的热电材料及其制备方法，其化学式为CoSb<SUB>3+δ－x－y</SUB>X<SUB>x</SUB>Y<SUB>y</SUB>，其中X为Se或Te，Y为Ge或Sn，δ为Sb补偿量，x和y分别为X和Y的掺杂量。该材料的特征于在CoSb<SUB>3</SUB>中同时掺入IVB族和VIB族元素。该材料利用IVB族和VIB族元素间电荷补偿使得总的掺杂浓度增加，而引入更多的点缺陷散射来降低热导率。在适当的条件下Co－Sb－X－Y基体中可析出CoX<SUB>1.5</SUB>Y<SUB>1.5</SUB>相而形成"纳米点"，而对声子输运产生额外散射作用。本发明采用机械合金化与放电等离子烧结相结合的方法，制备出具有高热电性能的Co－Sb－X－Y四元材料，其无量纲优值ZT在550℃时达到1.1。 | ||
| 申请公布号 | CN101350394A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200810119808.6 | 申请日期 | 2008.09.11 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 李敬锋;刘玮书;张波萍;赵立东 |
| 分类号 | H01L35/16(2006.01);C22C1/05(2006.01);B22F3/105(2006.01) | 主分类号 | H01L35/16(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种四元方钻矿结构的热电材料，其特征在于：该热电材料的化学式为CoSb3+δ-x-yXxYy，其中X为Se或Te，Y为Ge或Sn，δ为Sb补偿量，x和y分别为X和Y的掺杂量。 | ||
| 地址 | 100084北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 | ||