| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件。常规半导体器件中产生了造成本增加的问题。半导体器件1包括：配置在半导体衬底101上的下电极102(第一电极)；绝缘膜105(电容性膜)，配置在下电极102上从而与下电极102接触；上电极103(第二电极)，配置在绝缘膜105上从而与绝缘膜105接触；开口部分121(第一开口部分)，配置在下电极102中并延伸穿过下电极102；以及开口部分122(第二开口部分)，配置在上电极103中并延伸穿过上电极103。绝缘膜123埋置在开口部分121中，所述开口部分配置在下电极102中。类似地，绝缘膜124埋置在开口部分122中，所述开口部分122配置在上电极103中。 | ||
| 申请公布号 | CN100454541C | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200710004789.8 | 申请日期 | 2007.01.30 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 吉永亲史 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/08(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：配置在半导体衬底上的第一电极；电容性膜，配置在所述第一电极上从而与第一电极接触；第二电极，配置在所述电容性膜上从而与电容性膜接触，所述第二电极、所述第一电极和所述电容性膜构成了电容元件；第一开口部分，配置在所述第一电极中并延伸穿过第一电极；以及第二开口部分，配置在所述第二电极中并延伸穿过第二电极，其中绝缘膜埋置在所述第一开口部分和所述第二开口部分内。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||